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BOMEinführung, Eigenschaften Und Anwendungen Des Einzelnen N-Kanal-MOSFET NTBLS1D7N10MC Von ON Semiconductor
2/28/2024 9:25:00 AM
Zusammenfassung: Verfügt über einen niedrigen RDS(on) und minimierte Leitungsverluste, was ein effizientes Energiemanagement gewährleistet.
Der einzelne n-Kanal-MOSFET NTBLS1D7N10MC von ON Semiconductor zeichnet sich durch einen niedrigen R(DS) und minimierte Leitungsverluste aus und sorgt so für ein effizientes Energiemanagement. Der NTBLS1D7N10MC von ON Semiconductor zeichnet sich durch einen niedrigen Qg und eine niedrige Kapazität aus, wodurch die Schaltgeschwindigkeit erhöht und der Energieverbrauch gesenkt wird. Durch den Einsatz einer weicheren Freilaufdiode wird die Leistung weiter verbessert, da Schaltgeräusche und potenzielle elektromagnetische Störungen minimiert werden. NTBLS1D7N10MC ist bleifrei und entspricht modernen Herstellungsstandards und -vorschriften.
Charakteristisch
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Niedriger R(DS(on)), wodurch Leitungsverluste minimiert werden
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Niedriger Q(G) und Kapazität minimieren Treiberverluste
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Reduzieren Sie Schaltgeräusche/EMI
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Diese Geräte sind bleifrei und RoHS-konform
App
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Primär- und Sekundärseite DC-DC
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Hocheffiziente AC/DC-Umwandlung
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Lastbrücke
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Solarwechselrichter
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Motorantrieb
Anwendungsschaltplan
