Warenkorb( )
BOMEinführung, Eigenschaften Und Anwendungen Des Dual-N-Kanal-Leistungs-MOSFET NVMFD027N10MCL Von Onsemi
2/26/2024 9:45:00 AM
Zusammenfassung: Automotive-Leistungs-MOSFET mit 100 V, 28 A, 26 Milliohm, kompaktes und effizientes Design.
Der ON Semiconductor NVMFD027N10MCL Dual-n-Kanal-Leistungs-MOSFET ist ein Automobil-Leistungs-MOSFET mit 100 V, 28 A und 26 Milliohm und einem kompakten und effizienten Design. Das AEC-Q101-qualifizierte und PPPP-fähige Gerät ist in einem 5 mm x 6 mm großen Flachleitergehäuse mit benetzbaren Seitenoptionen für eine verbesserte optische Inspektion untergebracht. Der ON Semiconductor NVMFD027N10MCL MOSFET verfügt über eine hohe thermische Leistung und einen niedrigen R(DS(on)), um Leitungsverluste zu minimieren.
Charakteristisch
-
Geringer Platzbedarf (5 mm x 6 mm) und kompaktes Design
-
Niedriger R(DS(on)), wodurch Leitungsverluste minimiert werden
-
Niedriger Q(G) und Kapazität minimieren Treiberverluste
-
Hat die AEC-Q101-Zertifizierung bestanden und verfügt über PPAP-Funktionen
-
Bleifrei, halogenfrei/bromidfrei, flammhemmend, berylliumfrei, RoHS-konform
App
-
48V-System
-
Schaltnetzteil
-
Leistungsschalter (High-Side-Treiber, Low-Side-Treiber, H-Brücke usw.)
Spezifikation
-
Maximaler kontinuierlicher Drainstrom
-
26 Milliohm bei 10 V und 35 Milliohm bei 4,5 V (DS(ON)) maximal
-
100 V Drain-Source-Spannung
-
±20V Gate-Source-Spannung
-
115A Impulsableitstrom
-
-55 °C bis +175 °C Betriebs- und Lagertemperaturbereich
Typische Anwendungen
