Warenkorb( )
BOMEinführung, Eigenschaften Und Anwendungen Des Leistungs-MOSFET RF6G035BG Von ROHM Semiconductor
2/29/2024 9:35:00 AM
Zusammenfassung: Eigenschaften: 40 V VDSS, ±3,5 A ID, 46 Milliohm niedriger Einschaltwiderstand (RDS(on)), 1 W Stromverbrauch (PD).
Der Leistungs-MOSFET RF6G035BG von ROHM Semiconductor verfügt über eine Drain-Source-Spannung (V(DSS)) von 40 V und einen kontinuierlichen Drain-Strom (I(D)) von ±3,5 A. Dieser n-Kanal-MOSFET bietet einen niedrigen Einschaltwiderstand (R(DS(on))) von 46 Milliohm und eine Verlustleistung von 1 W (P(D)). Der MOSFET RF6G035BG arbeitet in einem Sperrschicht- und Lagertemperaturbereich von -55 °C bis 150 °C und ist in einem halogenfreien, kleinen oberflächenmontierbaren Gehäuse (TUMT6 oder SOT-363T) erhältlich. Dieses ROHS-konforme Gerät verfügt über eine bleifreie Beschichtung. Der Leistungs-MOSFET RF6G035BG eignet sich für Schalt-, Motorantriebs- und DC/DC-Wandleranwendungen.
Charakteristisch
-
Niedriger Einschaltwiderstand
-
Bleifreie Beschichtung, konform mit RoHS-Standards
-
Kleines Gehäuse zur Oberflächenmontage (TUMT6/SOT-363T)
-
Halogen frei
Spezifikation
-
Drain-Source-Spannung (V(DSS))
-
±20 V Gate-Source-Spannung (V(GSS))
-
-55 °C bis 150 °C Betriebsübergangs- und Lagertemperaturbereich
-
46 MilliohmR (DS(oben)(max)
-
±3,5 A kontinuierlicher Drainstrom (I(D))
-
1W Stromverbrauch (P(D))
App
-
Kraftfahrer
-
schalten
-
DC / DC-Wandler
Dinge
