2/29/2024 9:30:00 AM
Zusammenfassung: Merkmale: VDSS 60 V, ID ±2,5 A, 91 Milliohm niedriger Einschaltwiderstand (RDS(on)), 1 W Stromverbrauch (PD).
Der Leistungs-MOSFET RF6L025BG von ROHM Semiconductor verfügt über eine Drain-Source-Spannung (V(DSS)) von 60 V und einen kontinuierlichen Drain-Strom (I(D)) von ±2,5 A. Dieser n-Kanal-MOSFET bietet einen niedrigen Einschaltwiderstand (R(DS(on))) von 91 Milliohm und eine Verlustleistung von 1 W (P(D)). Der MOSFET RF6L025BG arbeitet in einem Sperrschicht- und Lagertemperaturbereich von -55 °C bis 150 °C und ist in einem halogenfreien, kleinen oberflächenmontierbaren Gehäuse (TUMT6 oder SOT-363T) erhältlich. Dieses ROHS-konforme Gerät verfügt über eine bleifreie Beschichtung. Der Leistungs-MOSFET RF6L025BG eignet sich für Schalt-, Motorantriebs- und DC/DC-Wandleranwendungen.
Niedriger Einschaltwiderstand
Bleifreie Beschichtung, konform mit RoHS-Standards
Kleines Gehäuse zur Oberflächenmontage (TUMT6/SOT-363T)
Halogen frei
60 V Drain-Source-Spannung (V(DSS))
±20 V Gate-Source-Spannung (V(GSS))
-55 °C bis 150 °C Betriebsübergangs- und Lagertemperaturbereich
91 Ohm R (DS(oben)(max)
±2,5 A kontinuierlicher Drainstrom (I(D))
1W Stromverbrauch (P(D))
Kraftfahrer
schalten
DC / DC-Wandler