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    Einführung, Eigenschaften Und Anwendungen Der Siliziumkarbid-Schottky-Diode NDSH10120C-F155

    2/26/2024 9:10:00 AM

    Zusammenfassung: Bietet überragende Schaltleistung, hohe Zuverlässigkeit/Effizienz und höhere Leistungsdichte.

    NDSH10120C-F155 Siliziumkarbid-Schottky-Diode

    ON Semiconductor NDSH10120C-F155 Siliziumkarbid (SiC)-Schottky-Dioden bieten im Vergleich zu Silizium eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit. EliteSiC NDSH10120C-F155 zeichnet sich durch keinen Rückstrom, temperaturunabhängige Schalteigenschaften und eine hervorragende thermische Leistung aus. Zu den Vorteilen des Systems gehören hohe Effizienz, schnelle Betriebsfrequenz, hohe Leistungsdichte, geringe EMI, kleine Systemgröße und niedrige Kosten. Zu den Anwendungen gehören Allzweck-, SMPS-, Solarwechselrichter-, USV- und Leistungsschaltkreise.


    Charakteristisch

    • +175 °C maximale Sperrschichttemperatur

    • 49 mJ Lawinenfestigkeit, Einzelimpuls

    • Hohe Stoßstromkapazität

    • positiver Temperaturkoeffizient

    • Einfach zu parallelisieren

    • Keine Rückwärts-/Vorwärtswiederherstellung

    • - 247 - 2 - alter Fall

    • Bleifreies, halogenfreies/bromfreies Flammschutzmittel, konform mit RoHS-Standards


    App

    • Universal

    • Schaltnetzteil (SMPS), Solarwechselrichter, unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV)

    • Stromschalterschaltung


    Spezifikation

    • 1200 V maximale Spitzen-Sperrspannung

    • Maximaler gleichgerichteter Durchlassstrombereich von 10 A bis 12 A

    • Maximaler Vorwärtsstoßstrom

      • 459A bis 546A nicht wiederkehrender Spitzenbereich

      • 59 Jahre alt, nicht repetitiv

      • 31 eine Wiederholung

    • maximaler Energieverbrauch

      • 94W bei +25℃

      • 16W +150°C

    • 1,39 V bis 1,94 V typischer Durchlassspannungsbereich

    • Maximaler Rückstrom 200 µA

    • 46 nC typische kapazitive Gesamtladung

    • 32 pF (800 V) bis 680 pF (1 V) typischer Gesamtkapazitätsbereich

    • Maximaler thermischer Widerstand

      • 1,6 °C/W zwischen Verbindung und Gehäuse

      • 40°C/W Übergang zur Umgebung

    • -55℃~ +175℃ Betriebstemperaturbereich

    Erklärung: Dieser Artikel unterliegt dem Urheberrecht des Originalautors. Die erneute Veröffentlichung dieses Artikels dient ausschließlich der Verbreitung weiterer Informationen. Sollten die Angaben des Autors Ungenauigkeiten aufweisen, kontaktieren Sie uns bitte schnellstmöglich zur Korrektur oder Entfernung. Danke für Ihre Aufmerksamkeit!

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