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    Einführung, Eigenschaften Und Anwendungen Der Siliziumkarbid-Schottky-Diode NDSH20120C-F155 Von Onsemi

    2/26/2024 9:15:00 AM

    Zusammenfassung: Bietet überragende Schaltleistung, hohe Zuverlässigkeit/Effizienz und höhere Leistungsdichte.

    ON Semiconductor NDSH20120C-F155 Siliziumkarbid-Schottky-Diode

    ON Semiconductor NDSH20120C-F155 Siliziumkarbid (SiC)-Schottky-Dioden bieten im Vergleich zu Silizium eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit. NDSH20120C-F155 zeichnet sich durch keinen Rückstrom, temperaturunabhängige Schalteigenschaften und eine hervorragende thermische Leistung aus. Zu den Vorteilen des Systems gehören hohe Effizienz, schnelle Betriebsfrequenz, hohe Leistungsdichte, geringe EMI, kleine Systemgröße und niedrige Kosten. Diese EliteSiC-Diode bietet einen positiven Temperaturkoeffizienten und lässt sich leicht parallel schalten.


    Charakteristisch

    • +175 °C maximale Sperrschichttemperatur

    • 166 mJ Lawinen-Einzelimpuls

    • Hohe Stoßstromkapazität

    • positiver Temperaturkoeffizient

    • Einfach zu parallelisieren

    • Keine Rückwärts-/Vorwärtswiederherstellung

    • - 247 - 2 - alter Fall

    • Bleifreies, halogenfreies/bromfreies Flammschutzmittel, konform mit RoHS-Standards


    App

    • Universal

    • Schaltnetzteil (SMPS), Solarwechselrichter, unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV)

    • Stromschalterschaltung


    Spezifikation

    • 1200 V maximale Spitzen-Sperrspannung

    • Maximaler gleichgerichteter Durchlassstrombereich von 20 A bis 26 A

    • Maximaler Vorwärtsstoßstrom

      • 854A bis 896A nicht wiederkehrender Spitzenbereich

      • 119 Jahre, eine Wiederholung

      • 40 eine Wiederholung

    • maximaler Energieverbrauch

      • 214W +25°C

      • 35W bei +150°C

    • 1,38 V bis 1,87 V typischer Durchlassspannungsbereich

    • Maximaler Rückstrom 200 µA

    • 100 nC typische kapazitive Gesamtladung

    • Typischer Gesamtkapazitätsbereich 58 pF (800 V) bis 1480 pF (1 V)

    • Maximaler thermischer Widerstand

      • 0,7 °C/W zwischen Verbindung und Gehäuse

      • 40°C/W Übergang zur Umgebung

    • -55℃~ +175℃ Betriebstemperaturbereich

    Erklärung: Dieser Artikel unterliegt dem Urheberrecht des Originalautors. Die erneute Veröffentlichung dieses Artikels dient ausschließlich der Verbreitung weiterer Informationen. Sollten die Angaben des Autors Ungenauigkeiten aufweisen, kontaktieren Sie uns bitte schnellstmöglich zur Korrektur oder Entfernung. Danke für Ihre Aufmerksamkeit!

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