< img src="https://mc.yandex.ru/watch/95524020" style="position:absolute; left:-9999px;" alt="" />
  • Kontaktieren Sie uns
    • HT ELECTRONICS CartWarenkorb( )
    HT ELECTRONICS BOMBOM
    Alle Produkte

    Einführung, Eigenschaften Und Anwendungen Der Siliziumkarbid-Schottky-Diode NDSH20120CDN Von Onsemi

    2/26/2024 9:00:00 AM

    Zusammenfassung: Bietet hervorragende Schaltleistung, hohe Zuverlässigkeit/Effizienz und reduzierte EMI.

    ON Semiconductor NDSH20120CDN Siliziumkarbid-Schottky-Diode

    ON Semiconductor NDSH20120CDN Siliziumkarbid (SiC)-Schottky-Dioden bieten im Vergleich zu Silizium eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit. Der NDSH20120CDN im TO-247-3LD-Gehäuse zeichnet sich durch keinen Rückstrom, temperaturunabhängige Schalteigenschaften und eine hervorragende thermische Leistung aus. Zu den Vorteilen des Systems gehören hohe Effizienz, schnelle Betriebsfrequenz, hohe Leistungsdichte, geringe EMI, kleine Systemgröße und niedrige Kosten. Diese EliteSiC-Diode bietet einen positiven Temperaturkoeffizienten und lässt sich leicht parallel schalten.


    Charakteristisch

    • +175 °C maximale Sperrschichttemperatur

    • 49 mJ Lawinenpegel, Einzelimpuls

    • Hohe Stoßstromkapazität

    • positiver Temperaturkoeffizient

    • Einfach zu parallelisieren

    • Keine Rückwärts-/Vorwärtswiederherstellung

    • - 247 - 3 - alter Fall

    • Halogenfrei, RoHS-konform, ausgenommen von 7a, bleifrei 2LI (sekundäre Verbindung)


    App

    • Universal

    • Schaltnetzteil (SMPS), Solarwechselrichter, unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV)

    • Stromschalterschaltung


    Spezifikation

    • 1200 V maximale Spitzen-Sperrspannung

    • Maximaler kontinuierlicher Durchlassstrombereich des Gleichrichters

      • 20A ~ 24A pro Gerät

      • 10A bis 12A pro Zweig

    • Maximaler Vorwärtsstoßstrom

      • 459A bis 564A nicht wiederkehrender Spitzenbereich

      • 59 Jahre alt, nicht repetitiv

      • 31 eine Wiederholung

    • maximaler Energieverbrauch

      • 94W bei +25℃

      • 16W +150°C

    • 1,39 V bis 1,94 V typischer Durchlassspannungsbereich

    • Maximaler Rückstrom 200 µA

    • 46 nC typische kapazitive Gesamtladung

    • 32 pF (800 V) bis 680 pF (1 V) typischer Gesamtkapazitätsbereich

    • Maximaler thermischer Widerstand

      • 0,65 °C/W Übergangs-zu-Gehäuse-Verhältnis pro Gerät

      • 1,6°C/W-Stecker – Gehäuse für jedes Bein

      • 40°C/W Übergang zur Umgebung

    • -55℃~ +175℃ Betriebstemperaturbereich

    Erklärung: Dieser Artikel unterliegt dem Urheberrecht des Originalautors. Die erneute Veröffentlichung dieses Artikels dient ausschließlich der Verbreitung weiterer Informationen. Sollten die Angaben des Autors Ungenauigkeiten aufweisen, kontaktieren Sie uns bitte schnellstmöglich zur Korrektur oder Entfernung. Danke für Ihre Aufmerksamkeit!

    letzte Seite：Einführung, Eigenschaften Und Anwendungen Des Onsemi NVBG1000N170M1 Siliziumkarbid (SiC) MOSFET

    nächste Seite：Einführung, Eigenschaften Und Anwendungen Der Siliziumkarbid-Schottky-Diode NDSH30120CDN Von Onsemi