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BOMEinführung, Eigenschaften Und Anwendungen Des Onsemi NVBG1000N170M1 Siliziumkarbid (SiC) MOSFET
2/23/2024 9:45:00 AM
Zusammenfassung: Planarer M1-SiC-MOSFET mit 1700 V, optimiert für schnelle Schaltanwendungen.
Der Siliziumkarbid-MOSFET (SiC) NVBG1000N170M1 von onsemi ist ein planares 1700-V-M1-Gerät, das für schnelle Schaltanwendungen optimiert ist. Die Planar-Technologie steuert zuverlässig mit negativen Gate-Spannungen und schaltet Spannungsspitzen am Gate ab. Dieser n-Kanal-ElteSiC-MOSFET bietet beste Leistung mit 20-V-Gate-Ansteuerung, funktioniert aber auch gut mit 18-V-Gate-Ansteuerung.
Charakteristisch
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Wenn die Gate-Source-Spannung 20 V beträgt, beträgt der Drain-Source-Einschaltwiderstand 960 Milliohm
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Extrem niedrige Gate-Ladung 14nc
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Hochgeschwindigkeitsschaltung mit geringer Kapazität von 11 pF
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n-Kanal
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100 % lawinengetestet
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Hat die AEC-Q101-Zertifizierung bestanden und ist ppap-fähig
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D2PAK-7L-Gehäuse
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Halogenfrei, RoHS-konform, ausgenommen von 7a, bleifrei 2LI (sekundäre Verbindung)
App
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Backhaul-Konverter
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Elektrofahrzeuge/Hepatitis-E-Virus
Spezifikation
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1700 maximale Drain-Source-Spannung
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Maximale Gate-Source-Spannung -15 V/+25 V, empfohlener Betriebswert -5 V/+20 V
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3,0 A (+100 °C) bis 4,3 A (+25 °C) maximaler kontinuierlicher Drainstrombereich
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Maximaler Stromverbrauchsbereich 25 W (+100 ℃) ~ 51 W (+25 ℃)
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14,6 A maximaler Impulsstrom
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10 A maximaler Quellstrom (Body-Diode)
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24 mJ maximale Einzelpuls-Drain-Source-Lawinenenergie
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Betriebstemperaturbereich der Sperrschicht: -55 °C bis +175 °C
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+270°C maximale Löttemperatur
