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    Einführung, Eigenschaften Und Anwendungen Von Siliziumkarbid-Schottky-Dioden

    2/26/2024 9:20:00 AM

    Zusammenfassung: Verfügt über temperaturunabhängiges Schalten und hervorragende thermische Leistung.

    ON Semiconductor NDSH30120C-F155

    ON Semiconductor NDSH30120C-F155 Siliziumkarbid (SiC)-Schottky-Dioden bieten im Vergleich zu Silizium eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit. NDSH30120C-F155 zeichnet sich durch keinen Rückstrom, temperaturunabhängige Schalteigenschaften und eine hervorragende thermische Leistung aus. Zu den Vorteilen des Systems gehören hohe Effizienz, schnelle Betriebsfrequenz, hohe Leistungsdichte, geringe EMI, kleine Systemgröße und niedrige Kosten. Diese EliteSiC-Diode bietet einen positiven Temperaturkoeffizienten und lässt sich leicht parallel schalten. Zu den Anwendungen gehören Allzweck-, SMPS-, Solarwechselrichter-, USV- und Leistungsschaltkreise.


    Charakteristisch

    • +175 °C maximale Sperrschichttemperatur

    • 196 mJ Lawinen-Einzelimpuls

    • Hohe Stoßstromkapazität

    • positiver Temperaturkoeffizient

    • Einfach zu parallelisieren

    • Keine Rückwärts-/Vorwärtswiederherstellung

    • - 247 - 2 - alter Fall

    • Bleifreies, halogenfreies/bromfreies Flammschutzmittel, konform mit RoHS-Standards


    App

    • Universal

    • Schaltnetzteil (SMPS), Solarwechselrichter, unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV)

    • Stromschalterschaltung


    Spezifikation

    • 1200 V maximale Spitzen-Sperrspannung

    • 30 A bis 38 A maximaler kontinuierlicher gleichgerichteter Vorwärtsstrombereich

    • Maximaler Vorwärtsstoßstrom

      • Nicht wiederkehrender Spitzenbereich von 994 A bis 1078 A

      • 161, eine sich nicht wiederholende

      • 57 eine Wiederholung

    • maximaler Energieverbrauch

      • 333W bei +25°C

      • 56W bei +150°C

    • 1,41 V bis 1,97 V typischer Durchlassspannungsbereich

    • Maximaler Rückstrom 200 µA

    • 132 nC typische kapazitive Gesamtladung

    • Typischer Gesamtkapazitätsbereich 88 pF (800 V) bis 1961 pF (1 V)

    • Maximaler thermischer Widerstand

      • 0,45 °C/W zwischen Verbindung und Gehäuse

      • 40°C/W Übergang zur Umgebung

    • -55℃~ +175℃ Betriebstemperaturbereich

    Erklärung: Dieser Artikel unterliegt dem Urheberrecht des Originalautors. Die erneute Veröffentlichung dieses Artikels dient ausschließlich der Verbreitung weiterer Informationen. Sollten die Angaben des Autors Ungenauigkeiten aufweisen, kontaktieren Sie uns bitte schnellstmöglich zur Korrektur oder Entfernung. Danke für Ihre Aufmerksamkeit!

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