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    Einführung, Eigenschaften Und Anwendungen Des Einzelnen N-Kanal-Leistungs-MOSFET NVMYS4D5N04C Von Onsemi

    3/4/2024 9:35:00 AM

    Zusammenfassung: Entwickelt für Automobilanwendungen und verpackt in einem 5 mm x 6 mm großen LFPAK-Gehäuse.

    ON Semiconductor NVMYS4D5N04C Einzel-n-Kanal-Leistungs-MOSFET

    Der Onsemi NVMYS4D5N04C Einzel-n-Kanal-Leistungs-Mosfet ist für Automobilanwendungen konzipiert und wird in einem 5 mm x 6 mm großen LFPAK-Gehäuse geliefert. Der ON Semiconductor NVMYS4D5N04C erreicht ein kompaktes und effizientes Design und gewährleistet gleichzeitig eine hohe thermische Leistung. Der Mosfet ist AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig für Automobilanwendungen, die eine erhöhte Zuverlässigkeit auf Platinenebene erfordern.


    Charakteristisch

    • Niedriges R (DS(oben))

    • Niedriger QG und Kapazität

    • Hat die AEC-Q101-Zertifizierung bestanden und verfügt über PPAP-Funktionen

    • Bleifrei-Zertifizierung bestanden


    App

    • Batterie-Verpolungsschutz

    • Schaltnetzteil

    • schalten

    • High-End-Treiber

    • Unterer Fahrer

    • H-Brücken


    Anwendungsschaltplan


    Erklärung: Dieser Artikel unterliegt dem Urheberrecht des Originalautors. Die erneute Veröffentlichung dieses Artikels dient ausschließlich der Verbreitung weiterer Informationen. Sollten die Angaben des Autors Ungenauigkeiten aufweisen, kontaktieren Sie uns bitte schnellstmöglich zur Korrektur oder Entfernung. Danke für Ihre Aufmerksamkeit!

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