Warenkorb( )
BOMEinführung, Eigenschaften Und Anwendungen Des Siliziumkarbid-Mosfets Onsemi NVH045N065SC1
3/4/2024 9:40:00 AM
Zusammenfassung: Verwendung der EliteSiC-Technologie für hervorragende Schaltleistung.
Der Siliziumkarbid (SiC)-Mosfet nvh045n065sc1 von ON Semiconductor nutzt die EliteSiC-Technologie, um eine hervorragende Schaltleistung zu bieten. Der NVHL045N065SC1 von Onsemi bietet eine höhere Zuverlässigkeit im Vergleich zu herkömmlichen Silizium-Mosfets. Der niedrige ON-Widerstand und die kompakte Chipgröße des MOSFET führen zu einer geringen Kapazität und Gate-Ladung und tragen so zu einem hohen Wirkungsgrad, einer schnellen Betriebsfrequenz, einer erhöhten Leistungsdichte, einer geringeren elektromagnetischen Interferenz (EMI) und einer kompakteren Systemgröße bei. Diese MOSFETs bieten fortschrittliche Technologie für erweiterte Leistungselektronikanwendungen.
Charakteristisch
-
Entspricht den Automobilstandards AEC-Q101
-
100 % UIL-geprüft
-
650-V-Niveau
-
Bleifrei-Zertifizierung bestanden
-
Wenn V(gs) = 18 V, I(d) = 66 A, maximal R(DS(on)) = 50 Milliohm
App
-
Auto-Ladegerät
-
Automobil-DC-DC-Wandler für EV/HEV
Anwendungsschaltplan
